giotis Posted June 29, 2012 Report Share Posted June 29, 2012 Καθώς πλησιάζουμε όλο και περισσότερο στην κατασκευή μνημών DDR4 το site RegHardware παρουσιάζει μερικές από τις δυνατότητες της. Καταρχήν η νέα γενιά μνημών αναμένεται προς το τέλος του έτους ,θα καταναλώνει λιγότερο ρεύμα σε σχέση με τις DDR3 και θα κατασκευάζεται στα 32 έως τα 36nm. Η πρώτη γενιά θα χρειάζεται 1.2V εν αντιθέσει με τα 1.5V της DDR3 και η κατανάλωση θα μειωθεί ακόμη περισσότερο στις μελλοντικές DDR4 στα 1.05V. Από τη μεριά των επιδόσεων αυτές ξεκινούν από τα 2133MT/s και φτάνουν τα 4266ΜΤ/s. Για να πετύχει τις επιδόσεις αυτές η κάθε μνήμη θα έχει το δικό της κανάλι με τον ελεγκτή ουσιαστικά μια μορφή Point-to-Point σύνδεσης. Ένα από τα μειονεκτήματα είναι το γεγονός πως για να πετύχει τις επιδόσεις αυτές με αυτόν τον τρόπο σύνδεσης θα πρέπει να είναι συμπληρωμένα όλα τα κανάλια μνήμης. Οι πραγματικές τιμές των επιδόσεων σύμφωνα με τη Samsung θα ξεκινούν από τα 3.2Gb/S το διπλάσιο από το σημερινό 1.6Gb/s με 40% λιγότερη κατανάλωση. Server-Side Οι εξελίξεις στο χώρο της τεχνολογίας μνήμης φυσικά έχουν μεγάλο αντίκτυπο στο Datacenter. Οι Servers χρειάζονται περισσότερη μνήμη,επιδόσεις και λιγότερη κατανάλωση. Ακριβώς ότι προσφέρει η DDR4 όμως με ένα μειονέκτημα: τη φυσική σχεδίαση. Αφού πλέον κάθε module μνήμης χρειάζεται τη δική του σύνδεση αυτομάτως χρειάζεται και περισσότερο χώρο στη μητρική.Αυτό το πρόβλημα η Samsung ισχυρίζεται πως μπορεί να το αντιμετωπίσει κατασκευάζοντας μνήμες στα 30nm. Παρόλα αυτά η υιοθέτηση νέας τεχνολογίας στις μνήμες έρχεται συνήθως καθυστερημένα. Η Intel τοποθετεί την τεχνολογία το 2014 μαζί με τους Xeon-EX επεξεργαστές και σύμφωνα με την εταιρεία η τοποθέτηση DDR4 στους Η/Υ και στα laptops θα είναι μετά από την προσθήκη στους Servers. Το αντίπαλο δέος η AMD δεν έχει ανακοινώσει ακόμη σχέδια για υποστήριξη DDR4. Link to comment Share on other sites More sharing options...
Recommended Posts